锑化铟InSb

产品介绍

锑化铟InSb

一、锑化铟的基本特性 ①晶体结构：锑化铟（InSb）晶片属于立方晶系，具有闪锌矿型结构，晶格常数为 0.6478nm。 ②物理性质：密度为 5.775g/cm³，熔点约 525℃。质地较脆，表面经抛光后呈现金属光泽。 ③电学性质：是直接带隙半导体，室温禁带宽度 0.18eV，本征载流子浓度 1.1×10²²/m³，本征电阻率 6×10⁻⁴Ω・m，电子迁移率高达 10m²/(V・s)，空穴迁移率为 0.17m²/(V・s)。 ④光学性质：在红外至远红外波段光响应速度快、探测灵敏度高，对 1 至 5μm 的红外波长非常敏感。二、应用领域 ①红外探测：广泛用于制造热成像相机、红外制导导弹、红外天文学等领域的探测器。 ②高频微波器件：在无线通讯、雷达系统以及卫星信号接收中，可制造超高速响应的高频微波器件。 ③量子器件：在量子计算和量子通讯领域，锑化铟纳米结构可实现电流的超快速切换和光电信号的高效转换。