砷化铟InSb

产品介绍

砷化铟InSb

一、基本特性 1、物理性质：常温下呈银灰色固体，具有闪锌矿型晶体结构，晶格常数为 0.6058nm，密度为 5.66g/cm³。 2、电学性质：是直接带隙半导体材料，室温下带隙为 0.35eV，电子迁移率高，可达 3.3×10⁴cm²/(V・s)，这使得电子在晶体内传输速度快，有利于提高器件运行效率。 3、光学性质：对 1-3.8μm 的红外光有良好的响应，可用于制造对该波段敏感的光学器件。二、应用领域 1、红外探测：可制造用于 1-3.8μm 波长范围的红外探测器，在军事夜视、安防监控、热成像检测等领域应用广泛。 2、光通信：在 InAs 衬底上生长晶格匹配的多元外延材料，可制造 2-4μm 波段光纤通信用的激光器和探测器。 3、量子器件：是制造量子比特、超导晶体管等量子器件的重要材料，在量子计算、量子通信等前沿领域有重要应用。 4、高频器件：凭借高电子迁移率等特性，用于制作高频、高速的场效应晶体管等器件，在 5G 及未来通信、雷达等领域有潜在应用。