功率半导体SiC MOSFET裸芯片KGD测试系统 | 慕尼黑上海电子生产设备展 productronica China 功率半导体SiC MOSFET裸芯片KGD测试系统,Power Semiconductor SiC MOSFET Bare Die KGD (Known Good Die) Test System,电子制造服务,慕尼黑上海电子生产设备展 productronica China 1、极低杂散电感,确保高质量的KGD动态(短路)测试:20nH ± 2nH 2、超快速保护低至300ns,最大限度减少socket和pin的损坏 3、先进的在线原位探针清洁技术,确保高良率测试 4、高速运动、可拓展的Handler方案,UPH大于2500

产品介绍

功率半导体SiC MOSFET裸芯片KGD测试系统
1、极低杂散电感,确保高质量的KGD动态(短路)测试:20nH ± 2nH 2、超快速保护低至300ns,最大限度减少socket和pin的损坏 3、先进的在线原位探针清洁技术,确保高良率测试 4、高速运动、可拓展的Handler方案,UPH大于2500
2025新品
产品分类:
电子制造服务
应用领域:
工业电子
汽车
新能源

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E5 .
5286
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