锑化镓GaSb | 慕尼黑上海电子生产设备展 productronica Shanghai

锑化镓GaSb | 慕尼黑上海电子生产设备展 productronica Shanghai 锑化镓GaSb,,电子制造服务,慕尼黑上海电子生产设备展 productronica Shanghai 一、锑化镓的基本特性 ①晶体结构：锑化镓（GaSb）属于 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体，具有闪锌矿结构，晶格常数约为 0.60959nm。 ②物理性质：密度为 5.6137g/cm³，硬度相对较小、质地较脆。 ③电学性质：电子迁移率高、功耗低，室温下禁带宽度为 0.725eV，未掺杂的单晶通常表现为 p 型导电特性，可通过掺杂如 Te、Se 与 S 等元素制备 n 型单晶。 ④光学性质：在中长波红外波段有良好的光学响应，对红外光的吸收和发射性能优异，适合用于红外光电器件36。制备方法二、应用领域 ①红外探测：是制作红外探测器的理想材料，能将红外辐射转化为电信号，用于军事侦察、夜视系统、火灾报警、环境监测等领域。 ②光电器件：可用于制造红外发光二极管、激光器等，在光通信领域，可作为衬底材料与多种 Ⅲ-Ⅴ 族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配，拓展光通信波长范围。 ③高速电子器件：凭借高电子迁移率，可应用于高速晶体管等高速电子器件中，提高电子器件的运行速度。

产品介绍

锑化镓GaSb

一、锑化镓的基本特性 ①晶体结构：锑化镓（GaSb）属于 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体，具有闪锌矿结构，晶格常数约为 0.60959nm。 ②物理性质：密度为 5.6137g/cm³，硬度相对较小、质地较脆。 ③电学性质：电子迁移率高、功耗低，室温下禁带宽度为 0.725eV，未掺杂的单晶通常表现为 p 型导电特性，可通过掺杂如 Te、Se 与 S 等元素制备 n 型单晶。 ④光学性质：在中长波红外波段有良好的光学响应，对红外光的吸收和发射性能优异，适合用于红外光电器件36。制备方法二、应用领域 ①红外探测：是制作红外探测器的理想材料，能将红外辐射转化为电信号，用于军事侦察、夜视系统、火灾报警、环境监测等领域。 ②光电器件：可用于制造红外发光二极管、激光器等，在光通信领域，可作为衬底材料与多种 Ⅲ-Ⅴ 族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配，拓展光通信波长范围。 ③高速电子器件：凭借高电子迁移率，可应用于高速晶体管等高速电子器件中，提高电子器件的运行速度。